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销售非接触厚度电阻率测试仪

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  • 所在区域: 北京
  • 价格范围: 0
  • 发布日期: 2014-09-18 02:33:47
  • 有 效 期: 长期有效
  • 供应数量: 20
  • 北京羲和阳光科技发展有限公司
  • 联 系 人: 包经理
  • 电  话: 010-60290891
  • 移动电话: 18618315708
  • 传  真: 010-60290891
  • 地  址: 北京市大兴区西红门路26号明珠商务7A-306
产品简介
RTM660C无接触式硅片厚度电阻率测试系统 
 
RTM660C采用高精度的厚度及电阻率探头,配以强大的软件控制,可以用多种方式进行无接触式测量,使得测试过程变得十分高效。系统采用一体化设计,结构紧凑,安装方便。使用者在操作平台上转动硅片,测试数据可即时显示,并可对测试数据进行分析处理。高精度电容式厚度探头和电涡流式电阻率探头,保证测试结果精确且稳定。RTM660C可广泛使用于研究、生产及质检等场所,友好的人机交互界面,使用相当便捷。
 
 
 技术参数     
■ 硅片规格:
     方片125x125mm、156x156mm 
     圆片3″、4″、5″、6″、8″
■ 测试功能
     厚度:单点及多点厚度
     TTV:总厚度偏差
     体电阻率:单点及多点体电阻率
■ 测试指标
     厚度范围:150~1000μm 
     测量误差:≤±1.0μm
     重复性:≤±0.20μm
     TTV范围:0.00μm~200.00μm
     测量误差:≤±0.50μm
     重复性:≤±0.20μm
     体电阻率范围:0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
     测量误差:≤±3%
     重复性:≤1.5%
■ 设备尺寸/重量:470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 测试环境要求:温度范围15~27℃
■ 湿度范围:35%~85%
■ 电源要求:220VAC,50Hz
■ 控制器:高性能主机  
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